АСЕЕВ Александр Леонидович

АСЕЕВ Александр Леонидович

АСЕЕВ Александр Леонидович (р. 24 сент. 1946, Улан-Удэ), физик, д-р физ.-мат. наук (1990), чл.-кор. РАН (2000), акад. РАН (2006). Окончил физ. фак-т Новосибирского гос. ун-та (1968). По окончании вуза работал в Ин-те физики полупроводников (ИФП): зав. лаб. (с 1986), зам. дир. по науке (с 1994), дир. (с 1998). В 1999–2003 – и. о. ген. дир., ген. дир. Объединенного ин-та физики полупроводников СО РАН. С 2003 – дир. ИФП. Одновр. (с 2002) проф. каф. физики полупроводников Томского гос. ун-та. Чл. Президиума СО РАН (с 2001). Зам. пред. Объединенного уч. совета по физико-техн. наукам СО РАН, чл. бюро Совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН. С 2008 – пред. СО РАН.

Специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур. Чл. редколлегий ведущих научных рос. и междунар. журналов. В 1996–2005 входил в состав Совета Междунар. центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия).

Соч.: Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск, 1991 (соавт.); Моноатомные ступени на поверхности кремния. Новосибирск, 2006 (соавт.); Нанотехнологии в полупроводниковой электронике // Вестн. РАН. 2006. Т. 76, № 7.

Лит.: Российская академия наук. Сибирское отделение. Персональный состав. Новосибирск, 2007.